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IRLR3717TR

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IRLR3717TRPBF 优势库存
IR
TO-252(DPAK)
2023+
9782
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IRLR3717TRRPBF
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D-Pak
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IRLR3717TRLPBF
IR
DPAK-3
2023+
26000
晶体管
IRLR3717TRPBF
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DPAK-3
2023+
26000
晶体管
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DPAK-3
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相关型号： IRLR3717PBF IRLR3715ZTRRPBF IRLR3715ZTRR IRLR3715ZTRPBF IRLR3715ZTRLPBF IRLR3715ZTRL

IRLR3717TRLPBF
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IRLR3717TRLPBF参数：MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：6,000
系列：HEXFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2830pF @ 10V
功率 - 最大值：89W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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