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IRLR3915

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IRLR3915TRPBF 优势库存
IR
SOT252
2023+
16352
全新进口原装现货，即时发货
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IRLR3915TRPBF
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D-Pak
2023+
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500
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IRLR3915
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TO252
2023+
36
原装现货价格优势
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IRLR3915TRPBF
InternationalR..
TO-252-3,DPa..
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9350
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IRLR3915TR
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2023+
6000
品质保证,价格优惠
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2023+
11400
品质保证,价格优惠
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IRLR3915PBF
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D-pak
2023+
11278
工厂配单，价格优势
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联系人：销售部
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IRLR3915TRPBF
TO252
2023+
9860
一级代理/全新现货/长期供..
IRLR3915PBF
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DPAK-3
2023+
26000
晶体管
IRLR3915TRPBF
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DPAK-3
2023+
26000
晶体管
IRLR3915TRPBF
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原装现货
2023+
4500
IRLR3915PBF
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进口原装 库房现货
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5600
IRLR3915
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全新原装现货
2023+
4500
相关型号： IRLR3802TRPBF IRLR3802TRLPBF IRLR3802PBF IRLR3717TRRPBF IRLR3717TRPBF IRLR3717TRLPBF

IRLR3915PBF
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IRLR3915PBF参数：MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLR3915PBFSpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14毫欧@30A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：92nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1870pF@25V
功率-最大值：120W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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