IRLR4343PBF参数：MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单设计资源： IRLR4343TRLSaberModel IRLR4343TRLSpiceModel标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：26A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：50毫欧@4.7A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：42nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：740pF@50V功率-最大值：79W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：D-Pak
