IRLR6225PBF参数：MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLR6225PBFSaberModel IRLR6225PBFSpiceModel标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4毫欧@21A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@50µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：72nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3770pF@10V功率-最大值：63W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252AA
