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IRLR8103V

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SOT252
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IRLR8103VTRR
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IRLR8103VTRR
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品质保证,价格优惠
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IRLR8103V
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IRLR8103VPBF
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工厂配单，价格优势
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IRLR8103VTRL
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IRLR8103VTRR
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IRLR8103VTRPBF
INFINEON/IR
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全新原装，香港现货
IRLR8103VTR
INFINEON/IR
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全新原装，香港现货
IRLR8103V
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TO252
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全新原装现货，价格优惠
IRLR8103VPBF
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26000
晶体管
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IRLR8103VTRRPBF
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IRLR8103VTRLPBF
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进口原装 库房现货
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相关型号： IRLR8103TRR IRLR8103TRL IRLR8103TR IRLR7843TRRPBF IRLR7843TRPBF IRLR7843TRLPBF

IRLR8103VPBF
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IRLR8103VPBF参数：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLR8103VTRPBFSaberModel IRLR8103VTRPBFSpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：91A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9毫欧@15A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2672pF@16V
功率-最大值：115W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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