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IRLS4030

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D2PAK（7-Lead）

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553

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TO-263

2023+

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1250

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3085

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12950

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Dsup2Pak，TO-..

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IRLS4030-7PPBF

INFINEON/IR

D2-PAK / TO-..

2023+

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INFINEON/IR

D2-PAK (TO-2..

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D-PAK-3

2023+

26000

晶体管

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D-PAK-3

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晶体管

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D-PAK-3

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相关型号： IRLS3036TRRPBF IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRL7PP IRLS3036PBF IRLS3036-7PPBF IRLS3034TRLPBF

IRLS4030-7PPBF
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IRLS4030-7PPBF参数：MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLS4030-7PPBFSaberModel IRLS4030-7PPBFSpiceModel
标准包装：50
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：190A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.9毫欧@110A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：140nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：11490pF@50V
功率-最大值：370W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-7，D²Pak（6引线+接片），TO-263CB
供应商器件封装：D2PAK（7-Lead）

IRLS4030

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