IRLU3103PBF参数:MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源: IRLU3103SaberModel IRLU3103SpiceModel标准包装:75系列:HEXFET®包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):55A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):19毫欧@33A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):50nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1600pF@25V功率-最大值:107W安装类型:通孔封装:TO-251-3长引线,IPak,TO-251AB供应商器件封装:I-Pak