IRLU3114ZPBF参数：MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：42A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.9毫欧@42A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：56nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3810pF@25V功率-最大值：140W安装类型：通孔封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：I-Pak
