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IRLU3636

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IRLU3636PBF
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IRLU3636-701TRP
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IRLU3636PBF
IR
IPAK-3
2023+
26000
晶体管
相关型号： IRLU3410PBF IRLU3303PBF IRLU3303 IRLU3114ZPBF IRLU3110ZPBF IRLU3103PBF

IRLU3636PBF
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IRLU3636PBF参数：MOSFET N-CH 60V 50A IPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
设计资源： IRLR3636PBFSaberModel IRLR3636PBFSpiceModel
标准包装：75
系列：HEXFET®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.8毫欧@50A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：49nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3779pF@50V
功率-最大值：143W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：I-Pak

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