IRLU8729PBF参数：MOSFET N-CH 30V 58A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)设计资源： IRLR8729PBFSaberModel IRLR8729PBFSpiceModel标准包装：75系列：HEXFET®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：58A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.9毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.35V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1350pF@15V功率-最大值：55W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：I-Pak
