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IRLZ24PBF

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IRLZ24PBF-BE3
Vishay Silicon..
TO-220AB
2023+
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IRLZ24PBF
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TO-220AB
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TO-220-3
2023+
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IRLZ24PBF
VISHAY
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IRLZ24PBF
IR
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相关型号： IRLZ24NSTRR IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRL IRLZ24NSPBF IRLZ24NS IRLZ24NPBF

IRLZ24PBF
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IRLZ24PBF参数：MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： IR(F,L)xSeriesSide1 IR(F,L)xSeriesSide2
标准包装：1,000
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：17A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@10A，5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：870pF@25V
功率-最大值：60W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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