IXBF32N300参数:IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:25系列:BIMOSFET™包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):3000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.2V @ 15V,32A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40ACurrent - Collector Pulsed (Icm):250A功率 - 最大值:160WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:142nCTd (on/off) A 25°C:-Test Condition:-反向恢复时间 (trr):1.5µs封装:i4-Pac?-5(3 引线)安装类型:通孔供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC?