IXBF9N160G参数：IGBT 1600V 7A 70W I4PAC
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：24系列：BIMOSFET™包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：1600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：7V @ 15V，5A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：7ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：12A功率 - 最大值：70WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：34nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：-封装：i4-Pac?-5（3 引线）安装类型：通孔供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC?
