IXBH2N250参数:IGBT 2500V 5A 32W TO247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:BIMOSFET™包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):2500V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.5V @ 15V,2A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5ACurrent - Collector Pulsed (Icm):13A功率 - 最大值:32WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:10.6nCTd (on/off) A 25°C:-Test Condition:-反向恢复时间 (trr):920ns封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247