IXBH40N160参数:IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:BIMOSFET™包装:散装IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):7.1V @ 15V,20A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):33ACurrent - Collector Pulsed (Icm):40A功率 - 最大值:350WSwitching Energy:-输入类型:标准Gate Charge:130nCTd (on/off) A 25°C:200ns/270nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD