IXBH42N170A参数:IGBT 1700V 42A 357W TO247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:BIMOSFET™包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1700V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):6V @ 15V,21A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):42ACurrent - Collector Pulsed (Icm):120A功率 - 最大值:357WSwitching Energy:2.8mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:155nCTd (on/off) A 25°C:25ns/230nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):330ns封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD