IXBK75N170A参数:IGBT BIMOSFET 1700V 110A TO-264
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:25系列:BIMOSFET™包装:管件IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值):1700V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):6V @ 15V,42A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):110ACurrent - Collector Pulsed (Icm):300A功率 - 最大值:1040WSwitching Energy:3.8mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:358nCTd (on/off) A 25°C:26ns/418nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):360ns封装:TO-264-3,TO-264AA安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264