IXBR42N170

IXBR42N170
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IXBR42N170参数：IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：BIMOSFET™
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.9V @ 15V，42A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：57A
Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
功率 - 最大值：200W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：188nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：1.32µs
封装：ISOPLUS247?
安装类型：通孔
供应商器件封装：ISOPLUS247?