IXBT12N300参数：IGBT 3000V 30A 160W TO268
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：BIMOSFET™包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：3000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.2V @ 15V，12A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：100A功率 - 最大值：160WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：62nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：1.4µs封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-268
