IXBT2N250参数：IGBT 2500V 5A 32W TO268
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：BIMOSFET™包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：2500V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.5V @ 15V，2A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：13A功率 - 最大值：32WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：10.6nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：920ns封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-268
