IXBT42N170A参数：IGBT 1700V 42A 350W TO268
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：BIMOSFET™包装：管件IGBT 类型：-电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：6V @ 15V，21A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：42ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：120A功率 - 最大值：350WSwitching Energy：2.8mJ（关）输入类型：标准Gate Charge：155nCTd (on/off) A 25°C：25ns/230nsTest Condition：-反向恢复时间 (trr)：330ns封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-268
