IXBX75N170A

IXBX75N170A
PDF资料下载

IXBX75N170A参数：IGBT BIMOSFET 1700V 110A PLUS247

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：BIMOSFET™
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1700V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：6V @ 15V，42A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：110A
Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
功率 - 最大值：1040W
Switching Energy：3.8mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：358nC
Td (on/off) A 25°C：26ns/418ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：360ns
封装：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：*