IXCY01N90E参数：MOSFET N-CH 900V 250MA TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： AC/DCRegulatorFamily28/Jul/2004标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：900V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：250mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80欧姆@50mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@25µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：133pF@25V功率-最大值：40W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252
