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IXDP20N60B

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相关型号： IXDN75N120 IXDN630YI IXDN630MYI IXDN630MCI IXDN630CI IXDN614YI

IXDP20N60B
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IXDP20N60B参数：IGBT 600V 32A W/DIODE TO-220AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：50
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：32A
Current - Collector Pulsed (Icm)：40A
功率 - 最大值：140W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：70nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB

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