IXDT30N120参数：IGBT 1200V 60A W/DIODE TO-268AA
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：-包装：管件IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.9V @ 15V，30A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：76A功率 - 最大值：300WSwitching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：120nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-268
