IXFH40N50Q2参数:MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: IXF(H,K,R)40N50Q211/Oct/2011标准包装:30系列:HiPerFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):500V电流-连续漏极(Id)(25°C时):40A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):160毫欧@500mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4.5V@4mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):110nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):4850pF@25V功率-最大值:560W安装类型:通孔封装:TO-247-3供应商器件封装:TO-247