IXFH9N80参数：MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：30系列：HDMOS™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：*漏源极电压 (Vdss)：800V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：900 毫欧 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2600pF @ 25V功率 - 最大值：180W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247AD
