IXFJ32N50Q参数：MOSFET N-CH 500V 32A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices11/Oct/2011标准包装：30系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@16A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@4mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：153nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3950pF@25V功率-最大值：360W安装类型：通孔封装：TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装：TO-220
