IXFJ40N30参数：MOSFET N-CH 300V 40A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices11/Oct/2011标准包装：30系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：300V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：40A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@4mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：200nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4800pF@25V功率-最大值：300W安装类型：通孔封装：TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装：TO-220
