IXFK120N20参数:MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:25系列:HiPerFET™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 60A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):300nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9100pF @ 25V功率 - 最大值:560W安装类型:通孔封装:TO-264-3,TO-264AA供应商器件封装:TO-264AA