IXFN120N20

IXFN120N20
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IXFN120N20参数：MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B

类别：半导体模块-FET
标准包装：10
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9100pF @ 25V
功率 - 最大值：600W
安装类型：底座安装
封装：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227B