IXFN62N80Q3参数：MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
类别：半导体模块-FET特色产品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs标准包装：10系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：800V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：49A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@31A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@8mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：270nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：13600pF@25V功率-最大值：960W安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
