IXFR32N100P参数：MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：30系列：Polar™ HiPerFET™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：340 毫欧 @ 16A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：225nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14200pF @ 25V功率 - 最大值：320W安装类型：通孔封装：ISOPLUS247?供应商器件封装：ISOPLUS247?
