IXFR32N100Q3参数:MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
类别:分立半导体产品-FET - 单特色产品: Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs标准包装:30系列:HiPerFET™包装:管件FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):1000V(1kV)电流-连续漏极(Id)(25°C时):23A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):350毫欧@16A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):6.5V@8mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):195nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):9940pF@25V功率-最大值:570W安装类型:通孔封装:TO-247-3供应商器件封装:ISOPLUS247?