IXFR40N50Q2参数：MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： IXF(H,K,R)40N50Q211/Oct/2011标准包装：30系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：29A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：170毫欧@20A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@4mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4200pF@25V功率-最大值：320W安装类型：通孔封装：ISOPLUS247?供应商器件封装：ISOPLUS247?
