IXFT24N90P参数：MOSFET N-CH TO-268
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： 900VPolarHiPerFET?PowerMOSFETs标准包装：30系列：Polar™HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：900V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：420毫欧@12A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：130nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：7200pF@25V功率-最大值：660W安装类型：表面贴装封装：TO-268-3，D³Pak（2引线+接片），TO-268AA供应商器件封装：TO-268
