IXFT320N10T2参数:MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:30系列:TrenchT2™ HiPerFET™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):320A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 100A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):430nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):26000pF @ 25V功率 - 最大值:1000W安装类型:表面贴装封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA供应商器件封装:TO-268