IXFT44N50Q3参数：MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs标准包装：30系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：44A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：140毫欧@22A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@4mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：93nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4800pF@25V功率-最大值：830W安装类型：表面贴装封装：TO-268-3，D³Pak（2引线+接片），TO-268AA供应商器件封装：TO-268
