IXFT9N80Q参数：MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：1系列：HiPerFET™包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：800V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.1 欧姆 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 25V功率 - 最大值：180W安装类型：表面贴装封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA供应商器件封装：TO-268
