IXFV110N10PS参数：MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2012标准包装：50系列：PolarHT™HiPerFET™包装：散装FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：110A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：15毫欧@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@4mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3550pF@25V功率-最大值：480W安装类型：表面贴装封装：PLUS-220SMD供应商器件封装：PLUS-220SMD
