IXFV12N120PS参数：MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2012标准包装：50系列：Polar™HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.35欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：103nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：5400pF@25V功率-最大值：543W安装类型：表面贴装封装：PLUS-220SMD供应商器件封装：PLUS-220SMD
