IXFX20N120P参数:MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:30系列:Polar™ HiPerFET™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):570 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):193nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):11100pF @ 25V功率 - 最大值:780W安装类型:通孔封装:TO-247-3供应商器件封装:PLUS247?-3