IXFX66N50Q2参数：MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： IXF(K,N,R,X)66N50Q211/Oct/2011标准包装：30系列：HiPerFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：66A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：80毫欧@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@8mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：200nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：9125pF@25V功率-最大值：735W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：PLUS247?-3
