IXFZ520N075T2参数：MOSFET N-CH 75V 465A DE-475
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：20系列：TrenchT2™ GigaMOS™ HiPerFET™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：75V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：465A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.3 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：545nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：41000pF @ 25V功率 - 最大值：600W安装类型：表面贴装封装：DE475供应商器件封装：DE475
