IXGA20N120参数:IGBT 1200V 40A TO-263
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:50系列:-包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,20A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40ACurrent - Collector Pulsed (Icm):80A功率 - 最大值:150WSwitching Energy:6.5mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:63nCTd (on/off) A 25°C:28ns/400nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263AA