IXGA8N100参数:IGBT 1000V 16A TO-263
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:50系列:-包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):1000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,8A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16ACurrent - Collector Pulsed (Icm):32A功率 - 最大值:54WSwitching Energy:2.3mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:26.5nCTd (on/off) A 25°C:15ns/600nsTest Condition:-反向恢复时间 (trr):-封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263