IXGB200N60B3

IXGB200N60B3
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IXGB200N60B3参数：IGBT N-CH PLUS264

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：25
系列：GenX3™
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.5V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75A
Current - Collector Pulsed (Icm)：600A
功率 - 最大值：1250W
Switching Energy：1.6mJ（开），2.9mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：750nC
Td (on/off) A 25°C：44ns/310ns
Test Condition：300V，100A，1 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-264-3，TO-264AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：*