IXGB75N60BD1

IXGB75N60BD1
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IXGB75N60BD1参数：IGBT 120A 600V PLUS264

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：25
系列：HiPerFAST™
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.3V @ 15V，75A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120A
Current - Collector Pulsed (Icm)：300A
功率 - 最大值：360W
Switching Energy：3.3mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：248nC
Td (on/off) A 25°C：62ns/220ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：35ns
封装：TO-264-3，TO-264AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：*