IXGH32N100A3参数:IGBT 75A 1000V TO-247AD
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:GenX3™包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):1000V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.2V @ 15V,32A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75ACurrent - Collector Pulsed (Icm):200A功率 - 最大值:300WSwitching Energy:2.6mJ(开),9.5mJ(关)输入类型:标准Gate Charge:87nCTd (on/off) A 25°C:24ns/385nsTest Condition:800V,32A,10 欧姆,15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247AD