IXGH32N50BUI

IXGH32N100A3
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IXGH32N100A3参数：IGBT 75A 1000V TO-247AD

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：GenX3™
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1000V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.2V @ 15V，32A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
功率 - 最大值：300W
Switching Energy：2.6mJ（开），9.5mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：87nC
Td (on/off) A 25°C：24ns/385ns
Test Condition：800V，32A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247AD